Novel Characterization Scheme of Si/SiO_2 Interface Roughness for Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Unstrained-and Strained-Si MOSFETs
Novel Characterization Scheme of Si/SiO_2 Interface Roughness for Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Unstrained-and Strained-Si MOSFETs
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Si/SiO_2 界面粗糙度的新颖表征方案，用于无应变和应变 Si MOSFET 中电子和空穴的表面粗糙度散射限制迁移率
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Takani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Zhao;H.Matsumoto;T.Sato;S.Koyama;M.Takenaka;S.Takani
