MgドープGaN層の厚さを変えて電荷濃度を制御したp型GaN/AlGaN/GaNダイオードの耐圧特性
MgドープGaN層の厚さを変えて電荷濃度を制御したp型GaN/AlGaN/GaNダイオードの耐圧特性
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改变Mg掺杂GaN层厚度控制电荷浓度的p型GaN/AlGaN/GaN二极管的击穿电压特性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岩田直高
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川田 宗一郎;ジャン ユーウェイ;岩田直高
