ミストCVD法によるルチル型GeO2薄膜のエピタキシャル成長
ミストCVD法によるルチル型GeO2薄膜のエピタキシャル成長
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雾气CVD法外延生长金红石型GeO2薄膜
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高根 倫史，柳生 慎悟，四戸 孝，金子 健太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Okada Daichi;Nishikawa Hiroya;Araoka Fumito;Masaaki Misawa，Kohei Shimamura，Fuyuki Shimojo;Kenichi Ozawa;打田正輝;高根 倫史，柳生 慎悟，四戸 孝，金子 健太郎
