Temperature rise effects on static characteristics of complementary FETs with Si and Ge nanosheets
Temperature rise effects on static characteristics of complementary FETs with Si and Ge nanosheets
复制标题
温升对 Si 和 Ge 纳米片互补 FET 静态特性的影响
DOI：
10.35848/1347-4065/acae61
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发表时间：
2023
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Wen Hsin Chang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Junichi Hattori;Koichi Fukuda;Tsutomu Ikegami;and Wen Hsin Chang
