Analysis of stress distribution in semiconductor substrates with film edges
Analysis of stress distribution in semiconductor substrates with film edges
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带薄膜边缘的半导体衬底应力分布分析
DOI：
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发表时间：
1983
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Bloch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Fischer;G. Bloch
假设边缘区域的薄膜应力松弛以及由此产生的部分表面应力的叠加，则计算晶体中的相应应力分布。对于应力值的实际估计，给出了近似解。讨论了关于薄膜边缘缺陷产生的结果。
Ausgehend von einer Relaxierenden Schichtspannung im Kantenbereich und der sich daraus ergebenden Uberlagerung von partiellen Flachenkraften wird die resultierende Spannungsverteilung im Kristall berechnet.为实现这一目的，请参阅 Spannungsgrosen 的实践。
Die gewonnenen Ergebnisse werden hinsichtlich der Defekt Generation 和 Schichtkanten distutiert。
Assuming a relaxing film stress in the edge region and a resulting superposition of partial surface stresses, the respective stress distribution in the crystal is calculated. For practical estimates of the stress values an approximate solution is given. The results are discussed with respect to the generation of defects at film edges.
Ausgehend von einer relaxierenden Schichtspannung im Kantenbereich und der sich daraus ergebenden Uberlagerung von partiellen Flachenkraften wird die resultierende Spannungsverteilung im Kristall berechnet. Fur praktische Abschatzungen der Spannungsgrosen wird eine Naherungslosung angegeben.
Die gewonnenen Ergebnisse werden hinsichtlich der Defektgeneration an Schichtkanten diskutiert.