Self-assembled structures of closely stacked InAs islands grown on GaAs by molecular beam epitaxy
Self-assembled structures of closely stacked InAs islands grown on GaAs by molecular beam epitaxy
复制标题
通过分子束外延在 GaAs 上生长的紧密堆叠 InAs 岛的自组装结构
DOI：
10.1016/s0022-0248(96)00814-7
复制
发表时间：
1997
影响因子：
1.8
通讯作者：
N. Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Nakata;Y. Sugiyama;T. Futatsugi;N. Yokoyama
