High electron mobility and low noise quantum point contacts in an ultra-shallow all-epitaxial metal gate GaAs/Al x Ga1- x As heterostructure
High electron mobility and low noise quantum point contacts in an ultra-shallow all-epitaxial metal gate GaAs/Al x Ga1- x As heterostructure
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超浅全外延金属栅GaAs/Al x Ga1- x As异质结构中的高电子迁移率和低噪声量子点接触
DOI：
10.1063/5.0053816
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Ashlea Alava Y
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ashlea Alava Y
