Domain wall pinning in ultra-narrow electromigrated break junctions
Domain wall pinning in ultra-narrow electromigrated break junctions
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超窄电迁移断裂结中的畴壁钉扎
DOI：
10.1088/0953-8984/26/47/474207
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.A. Mawass
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Loescher;M.A. Mawass
约束几何中的磁畴壁的研究是一个重要的课题，然而，在处理极端纳米尺度的磁性系统时，伪影往往会影响测量结果，并掩盖内在磁源的影响。在这项工作中，我们研究了在清洁的超高真空条件下，初始制备和随后原位定制的电迁移铁磁结中磁化壁脱钉扎的演化。制备了精心设计的Ni80Fe20(坡莫合金)缺口半环结构，并利用可控的原位电迁移技术研究了该结构与收缩宽度的关系。结果表明，在较窄的约束条件下，随着接触尺寸的减小，磁化壁钉扎强度也随之增大，与壁能的减小一致。此外，还测量了退钉扎场的角度依赖性和对称性，以确定具有窄收缩的系统中磁畴壁的全钉扎势。
The study of magnetic domain walls in constrained geometries is an important topic, yet when dealing with extreme nanoscale magnetic systems artefacts can often dominate the measurements and obscure the effects of intrinsic magnetic origin. In this work we study the evolution of domain wall depinning in electromigrated ferromagnetic junctions which are both initially fabricated and subsequently tailored in-situ in clean ultra-high vacuum conditions. Carefully designed Ni 80 Fe 20 (Permalloy) notched half-ring structures are fabricated and investigated as a function of constriction width by tailoring the size of the contact using controlled in-situ electromigration. It is found that the domain wall pinning strength is increased on reducing the contact size in line with a reduction of the wall energy in narrower constrictions. Furthermore, the angular dependency and symmetry of the depinning field is measured to determine the full pinning potential for a domain wall in a system with a narrow constriction.
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