プラズマCVDにより形成されたSiO2/InAlN界面の評価
プラズマCVDにより形成されたSiO2/InAlN界面の評価
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等离子CVD形成的SiO2/InAlN界面的评价
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
清野 惇，赤澤 正道
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Matys;B. Adamowicz;R. Stoklas;M. Akazawa;Z. Yatabe;and T. Hashizume;清野 惇，赤澤 正道
