Hikaru Kobayashi: "Formation of SiO_2/SiC structure at 203℃ by use of perchloric acid,"Appl.Phys.Lett.. 86. (2001)
Hikaru Kobayashi: "Formation of SiO_2/SiC structure at 203℃ by use of perchloric acid,"Appl.Phys.Lett.. 86. (2001)
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小林光：“使用高氯酸在 203℃ 下形成 SiO_2/SiC 结构”，Appl.Phys.Lett.. 86. (2001)
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