p-GaN field plate for low leakage current in lateral GaN Schottky barrier diodes
p-GaN field plate for low leakage current in lateral GaN Schottky barrier diodes
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p-GaN 场板可在横向 GaN 肖特基势垒二极管中实现低漏电流
DOI：
10.1063/5.0074543
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
E. Matioli
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Nela;C. Erine;E. Matioli
