Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlOx formed by D_2O-ALD
Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlOx formed by D_2O-ALD
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通过在 D_2O-ALD 形成的 HfAlOx 中掺入氘来提高界面层可靠性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Torii;T.Kawahara;K.Shiraishi
