Progress in SiC : from material growth to commercial device development
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DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00437-1
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发表时间：
1999-07
影响因子：
3.6
通讯作者：
C. Carter;V. Tsvetkov;R. Glass;D. Henshall;M. Brady;S. Müller;O. Kordina;K. Irvine;J. Edmond-J.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Carter;V. Tsvetkov;R. Glass;D. Henshall;M. Brady;S. Müller;O. Kordina;K. Irvine;J. Edmond-J.
