Tatsuro Watahiki: "New approach to low temperture Si epitaxy by using hot wire cell method"Journal of Crystal Growth.
Tatsuro Watahiki: "New approach to low temperture Si epitaxy by using hot wire cell method"Journal of Crystal Growth.
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Tatsuro Watahiki：“使用热线槽方法进行低温硅外延的新方法”晶体生长杂志。
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