Fabrication of High-quality SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Structures by Rapid Melt Growth
Fabrication of High-quality SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Structures by Rapid Melt Growth
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通过快速熔体生长制造高质量绝缘体上硅Ge和绝缘体上Ge结构
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takayoshi Shimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Sakamoto;S.Suzuki;T.Omori;K.Hashimoto;J.Kushibiki;and S.Matsuda;Takayoshi Shimura
