利用ZnO缓冲层在Si上生长择优c轴取向的铁电LiNbOsub3/sub薄膜
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DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
通讯作者：
郝兰众
郝兰众
中科院分区：
物理与天体物理2区
文献类型：
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作者：
郝兰众
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