絶縁体半導体界面近傍に形成されるプラズマ誘起欠陥のアドミタンスモデル解析
絶縁体半導体界面近傍に形成されるプラズマ誘起欠陥のアドミタンスモデル解析
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绝缘体-半导体界面附近等离子体诱导缺陷的导纳模型分析
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
久山智弘，占部継一郎，江利口浩二
中科院分区：
文献类型：
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作者：
両角潤樹;久山智弘;鬼頭聖弥;占部継一郎;江利口浩二;長谷 憲一郎;久山智弘，占部継一郎，江利口浩二
