The growth of SiGe on sapphire using rapid thermal chemical vapor deposition
The growth of SiGe on sapphire using rapid thermal chemical vapor deposition
复制标题
使用快速热化学气相沉积在蓝宝石上生长 SiGe
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kavanagh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Dubbelday;K. Kavanagh
