連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価
連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価
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连续波激光结晶多晶硅 TFT 内应变和电子迁移率的评估
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小谷光司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
藤井俊太朗;黒木伸一郎;小谷光司
