New nonvolatile memory using GaN-based resonant tunneling diodes
New nonvolatile memory using GaN-based resonant tunneling diodes
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使用基于 GaN 的谐振隧道二极管的新型非易失性存储器
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Nagase Masanori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
永瀬成範;高橋言緒;清水三聡;Nagase Masanori
