Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications
Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications
复制标题
用于器件应用的 InN 和 InGaN 生长的最新进展
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Nanishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi;Y. Takagi;Y. Nanishi
