Terahertz emission in an InGaAs-based dual-grating-gate high-electron-mobility transistor plasmonic photomixer
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基于 InGaAs 的双光栅栅极高电子迁移率晶体管等离子体光混频器中的太赫兹发射
DOI：
10.35848/1882-0786/abf02a
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发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Otsuji Taiichi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hosotani Tomotaka;Satou Akira;Otsuji Taiichi
