Photoconductivity as a method to probe defects in ultra thin Si films
Photoconductivity as a method to probe defects in ultra thin Si films
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光电导作为探测超薄硅薄膜缺陷的方法
DOI：
10.1063/1.4979276
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发表时间：
2017
影响因子：
4
通讯作者：
T. Mchedlidze
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. V. Lavrov;I. Chaplygin;T. Mchedlidze
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--
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作者：
H. Yamada‐Kaneta
通讯作者：
H. Yamada‐Kaneta
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DOI：
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影响因子：
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通讯作者：
A. Ramdas
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通讯作者：
NITZAN, A
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