An effective carrier compensation under spin injection to ambipolar conductor with intrinsically different hole and electron densities
An effective carrier compensation under spin injection to ambipolar conductor with intrinsically different hole and electron densities
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自旋注入下对具有本质上不同的空穴和电子密度的双极导体的有效载流子补偿
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Hasegawa and H. Awano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Aktar MST Sanjida;M. Sakai;T. Yoshizumi;O. Nakamura;S. Hasegawa and H. Awano
