Hikaru Kobayashi: "Nitric acid oxidation of Si to form ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density"Journal of Applied Physics. Vol.94 No.11. 7328 (2003)
Hikaru Kobayashi: "Nitric acid oxidation of Si to form ultrathin silicon dioxide layers with a low leakage current density"Journal of Applied Physics. Vol.94 No.11. 7328 (2003)
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Hikaru Kobayashi：“硅的硝酸氧化形成具有低漏电流密度的超薄二氧化硅层”应用物理杂志。
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