Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AIGaN/AIN quantum wells
Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AIGaN/AIN quantum wells
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富铝 AIGaN/AlN 量子阱中少量和亚微米不均匀性的共存
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川上養一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岩田佳也;大音隆男;D. Gachet;M. Benameur;R. Banal;船戸充;川上養一
