Investigation of Mobile Ion Generation in Thermal Oxide of 4H-SiC(0001) MOS Devices with High-Temperature Hydrogen Annealing
Investigation of Mobile Ion Generation in Thermal Oxide of 4H-SiC(0001) MOS Devices with High-Temperature Hydrogen Annealing
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高温氢气退火 4H-SiC(0001) MOS 器件热氧化中移动离子生成的研究
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Chanthaphan;et al
