チャネル部追成長による反転層ダイヤモンドMOSFETの電気特性改善
チャネル部追成長による反転層ダイヤモンドMOSFETの電気特性改善
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通过沟道部分的额外生长改善反型层金刚石MOSFET的电特性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
徳田 規夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山河 智哉，松本翼， 猪熊 孝夫，山崎 聡，張 旭芳;加藤宙光;小倉政彦;牧野俊晴;C.E.Nebel;徳田 規夫
