Optimization of (112¯0) a-plane GaN growth by MOCVD on (11¯02) r-plane sapphire
Optimization of (112¯0) a-plane GaN growth by MOCVD on (11¯02) r-plane sapphire
复制标题
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.01.008
复制
发表时间：
2006-04
影响因子：
1.8
通讯作者：
X. Ni;Y. Fu;Y. Moon;N. Biyikli;H. Morkoç
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Ni;Y. Fu;Y. Moon;N. Biyikli;H. Morkoç
