Improved precursor chemistry for the synthesis of III-V quantum dots.
Improved precursor chemistry for the synthesis of III-V quantum dots.
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DOI：
10.1021/ja309863n
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发表时间：
2012-12-19
影响因子：
15
通讯作者：
Bawendi, Moungi G.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Harris, Daniel K.;Bawendi, Moungi G.
人们早就知道，合成III-V量子点比合成其他类型的无机量子点更具挑战性。这归因于高活性的V族前体。我们合成了适合用作V族前体的分子，并用多种互补技术表征了它们的反应活性。我们发现，随着前驱体反应性的降低，砷化铟量子点的尺寸分布确实得到了改善。
The synthesis of III-V Quantum Dots has been long known to be more challenging than the synthesis of other types of inorganic quantum dots. This is attributed to highly reactive group-V precursors. We synthesized molecules that are suitable for use as group-V precursors and characterized their reactivity using multiple complementary techniques. We show that the size distribution of indium arsenide quantum dots indeed improves with decreased precursor reactivity.
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影响因子：
--
作者：
Joung S;Yoon S;Han CS;Kim Y;Jeong S
通讯作者：
Jeong S
DOI：
10.1080/10426509508042569
发表时间：
1995-01-01
影响因子：
1.3
作者：
Ates, M;Breunig, HJ;Denker, M
通讯作者：
Denker, M
影响因子：
3.3
作者：
Leatherdale, CA;Woo, WK;Bawendi, MG
通讯作者：
Bawendi, MG
影响因子：
15
作者：
Liu, Haitao;Owen, Jonathan S.;Alivisatos, A. Paul
通讯作者：
Alivisatos, A. Paul
影响因子：
2.3
作者：
AMBERGER, E;SALAZAR, RW
通讯作者：
SALAZAR, RW