低残留キャリア濃度β-FeSi_2エピタキシャル膜における磁気抵抗の温度依存性
低残留キャリア濃度β-FeSi_2エピタキシャル膜における磁気抵抗の温度依存性
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低残余载流子浓度β-FeSi_2外延薄膜磁阻的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
野田慶一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
寺井慶和;野田慶一
