Fabrication of GaAs Pore Arrays with High Aspect Ratio by Anodic Etching through Photoresist Mask
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光刻胶掩模阳极刻蚀制备高深宽比 GaAs 孔隙阵列
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Kotaka;H.Asoh;S.Ono
