Atomic-layer-deposition of ultrathin silicon nitride for sub-tunneling gate dielectrics

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用于亚隧道栅极电介质的超薄氮化硅的原子层沉积

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
ECS Symposium I1 : Proceedings of the First International Symposium on Dielectrics for Nanosystems(Honolulu, Hawaii, October 3-8,2004) 2004-04
影响因子：
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通讯作者：
Anri Nakajima
Anri Nakajima
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Y.Inoue;Anri Nakajima

文献摘要

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