GaAs First-Spacer-Layer Thickness Dependence of Polarized Photoluminescence Properties of Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Long-Wavelength Emission
GaAs First-Spacer-Layer Thickness Dependence of Polarized Photoluminescence Properties of Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Long-Wavelength Emission
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长波长发射的紧密堆叠 InAs/GaAs 量子点的偏振光致发光特性与 GaAs 第一间隔层厚度的关系
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Tajiri;T. Kaizu;and T. Kita
