GRIN-SCH構造を有する1.3 um帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性
GRIN-SCH構造を有する1.3 um帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性
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GRIN-SCH结构1.3 um波段npn-AlGaInAs/InP晶体管激光器的静态特性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
荒井 滋久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
吉冨 翔一;山中 健太郎;後藤 優征;藤本 直;西山 伸彦;荒井 滋久
