M.Akazawa,H.Hasegawa and E.Ohue: "Ino._<53>Gao._<47>As MISFETs having an ultrathin MBE Si interface control layer and photo-CVD SiO_2 insulator" Jpn.J.Appl.Phys. 28. L2095-L2097 (1989)
M.Akazawa,H.Hasegawa and E.Ohue: "Ino._<53>Gao._<47>As MISFETs having an ultrathin MBE Si interface control layer and photo-CVD SiO_2 insulator" Jpn.J.Appl.Phys. 28. L2095-L2097 (1989)
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M.Akazawa、H.Hasegawa 和 E.Ohue：“Ino._<53>Gao._<47>As MISFET 具有超薄 MBE Si 界面控制层和光 CVD SiO_2 绝缘体”Jpn.J.Appl.Phys。
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