M.Akazawa: "Reappraisal of Si-interlayer-induced change of band discontinuity at GaAs-AlAs hetero-interface taking account of delta-doping" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31. L1012-1014 (1992)
M.Akazawa: "Reappraisal of Si-interlayer-induced change of band discontinuity at GaAs-AlAs hetero-interface taking account of delta-doping" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31. L1012-1014 (1992)
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M.Akazawa：“考虑 δ 掺杂，重新评估 Si 夹层引起的 GaAs-AlAs 异质界面能带不连续性变化”Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31。
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