M.Ohishi,H.Saito,J.Fujiwara and K.Ohmori: "Effect of residual strain on the splitting of excitonic luminesence lines in epitaxially grown ZnSe/GaAs" Japan.J.Appl.Phys.29. 1504-1505 (1990)
M.Ohishi,H.Saito,J.Fujiwara and K.Ohmori: "Effect of residual strain on the splitting of excitonic luminesence lines in epitaxially grown ZnSe/GaAs" Japan.J.Appl.Phys.29. 1504-1505 (1990)
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M.Ohishi、H.Saito、J.Fujiwara 和 K.Ohmori：“残余应变对外延生长的 ZnSe/GaAs 中激子发光线分裂的影响”Japan.J.Appl.Phys.29。
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