Spin dependent electronic structure and level crossings as a function of magnetic field in InAs nanowire
Spin dependent electronic structure and level crossings as a function of magnetic field in InAs nanowire
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InAs 纳米线中自旋相关的电子结构和能级交叉作为磁场的函数
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Koga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Q.Jin;J.Waugh;T.Matsuura;S.Faniel;H.Z.Wu;T.Koga
