Study of Cu-growth feature by selective low-pressure chemical vapor deposition using a CuI precursor
Study of Cu-growth feature by selective low-pressure chemical vapor deposition using a CuI precursor
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使用 CuI 前驱体选择性低压化学气相沉积研究 Cu 生长特性
DOI：
10.35848/1347-4065/acc257
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发表时间：
2023
影响因子：
1.5
通讯作者：
Kubota Yusuke
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toyoda Gento;Kikuchi Hikari;Yamauchi Satoshi;Joutsuka Tatsuya;Fuse Takashi;Kubota Yusuke
