Electric Field Controlled Analog Memory based on Interface Dipole Modulation in HfO2/SiO2 Multi-Stacked Structures
Electric Field Controlled Analog Memory based on Interface Dipole Modulation in HfO2/SiO2 Multi-Stacked Structures
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HfO2/SiO2 多层结构中基于界面偶极子调制的电场控制模拟存储器
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Noriyuki Miyata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daisuke Yamane;Toshifumi Konishi;Teruaki Safu;Hiroshi Toshiyoshi;Masato Sone;Kazuya Masu and Katsuyuki Machida;溝端悠大，富永直樹，曽我部友輔，雨宮尚之;山下直人 伊藤彰太 高橋健太 前田寛陽 佐々木信也;Noriyuki Miyata
影响因子：
8.6
作者：
Giustino, F;Umari, P;Pasquarello, A
通讯作者：
Pasquarello, A
使用强相对论电子束对碳状态方程进行实验和理论研究
影响因子：
3.2
作者：
C. Peugnet;M. Roche;P. Villers;C. Savy;G. Sibille
通讯作者：
G. Sibille
影响因子：
3.2
作者：
HICKMOTT, TW
通讯作者：
HICKMOTT, TW