Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs
Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs
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FinFET 选择性生长 GaN 沟道的电特性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kazuo Tsutsui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuya Hamada;Hayato Mukai;Tokio Takahashi;Toshihide Ide;Mitsuaki Shimizu;Hiroki Kuroiwa;Takuya Hoshii;Kuniyuki Kakushima;Hitoshi Wakabayashi;Hiroshi Iwai;and Kazuo Tsutsui
