Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin SiO2/Si pMOS stacks
Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin SiO2/Si pMOS stacks
复制标题
金属栅极/高 k/超薄 SiO2/Si pMOS 堆栈中平带电压急剧滚降的根源
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Paul K. Chu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Wang;X. W. Zhang;W. W. Wang;Paul K. Chu
