Impact of double-cap procedure on the characteristics of InAs/InGaAsP/InP quantum dots grown by metal-organic chemical vapor deposition
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2013.04.024
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发表时间：
2013-07
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Luo;Ji Haiming;Xiaoguang Yang;Tao Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Luo;Ji Haiming;Xiaoguang Yang;Tao Yang
