Emission Wavelength Extension of Light Emitting Diode Using MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN
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使用 MOVPE 生长的 N 极 (000-1) InGaN 扩展发光二极管的发射波长
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Shojiki;J.H. Choi;T. Tanikawa;S. Kuboya;T. Hanada;R. Katayama;and T. Matsuoka
