AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価

AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価
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AlN模板上AlGaN沟道HEMT的制作及电特性评估

DOI:
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发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人
森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Filchito Renee G. Bagsican;Iwao Kawayama;Hironaru Murakami;and Masayoshi Tonouchi;森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人

文献摘要

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