Electron-spin dynamics in tunnel-coupled structures of InGaAs well and dot with different p-doping concentrations applied with electric field
Electron-spin dynamics in tunnel-coupled structures of InGaAs well and dot with different p-doping concentrations applied with electric field
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电场作用下不同 p 掺杂浓度的 InGaAs 阱和点隧道耦合结构中的电子自旋动力学
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Murayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Park;H. Chen;S. Hiura;J. Takayama;A. Murayama
