Photoluminescence characteristics of GaAs quantum wells embedded in AlAs/GaAs-SPS barriers under two wavelength excitation
Photoluminescence characteristics of GaAs quantum wells embedded in AlAs/GaAs-SPS barriers under two wavelength excitation
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两种波长激发下嵌入 AlAs/GaAs-SPS 势垒中的 GaAs 量子阱的光致发光特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Horikoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Chavanapranee;Y.Horikoshi
