Si基板上h-BN直接成膜技術とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子源の開発
Si基板上h-BN直接成膜技術とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子源の開発
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Si衬底上h-BN直接沉积技术及石墨烯/h-BN/Si堆叠平面电子源的开发
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
村上勝久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本将也;村田博雅;長尾昌善;三村秀典;根尾陽一郎;村上勝久
