Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements
Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements
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通过霍尔效应测量研究 p 沟道 4H-SiC MOSFET 中的迁移率限制机制
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Yano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X. Zhou;D. Okamoto;T. Hatakeyama;M. Sometani;S. Harada;X. Zhang;N. Iwamuro;and H. Yano
